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德國歐司朗光電半導體（OSRAM Opto Semiconductors GmbH）開發出了新型LED結構「UX:3」。該結構不僅能夠大幅提高藍色LED等GaN類LED的外部量子效率，而且還可大幅抑制LED在通過大電流時發光效率下降的公認課題。通過減少不伴隨發光的非放射再結合——「俄歇復合」，可抑制發光效率的下降。
歐司朗介紹，UX:3在LED芯片內部嵌入n型接觸電極，通過貫通孔與n型GaN類半導體層進行電連接。可降低電流密度的效果，從而減少了俄歇復合。並還加厚了作為發光部分的活性層，低了載流子密度。
採用UX:3的藍色LED芯片，其光輸出功率在芯片為1mm見方的情況下投入350mA電流時比ThinGaN大約高10％。投入電流越多，UX:3和ThinGaN的差距就越大。使用這種藍色LED芯片的白色LED，其發光效率可達到136lm/W。
 
UX:3將作為ThinGaN的進化版，從投入大電流的高端藍色LED、白色LED及綠色LED開始採用。首先將推出手機攝像頭閃光燈使用的產品，並於2010年內發佈面向普通照明用途的產品。目前打算在1mm見方的大尺寸芯片上採用UX:3，不過在技術成熟後，還有可能在標準尺寸的芯片上使用UX:3。